Architecture & systèmes du supergrid
“Pour réussir la transition énergétique, les réseaux électriques doivent avoir la capacité d’intégrer massivement des énergies renouvelables, via des composants en courant continu (DC). SuperGrid Institute met à disposition son expertise pour développer les technologies et les méthodes d’analyse associées afin de garantir le bon fonctionnement des réseaux AC et DC interconnectés.”
Jean-Baptiste HEYBERGER, Directeur du département Architecture & systèmes du supergrid
Les experts de SuperGrid Institute s’efforcent de relever les défis techniques auxquels sont confrontés les réseaux à courant continu. Nous développons des technologies pour contrôler et protéger la stabilité des réseaux HVDC et MVDC, qui doivent être beaucoup plus dynamiques que les réseaux en courant alternatif (AC).
La définition des exigences relatives aux composants clés des réseaux en courant continu (DC) ou des systèmes d’alimentation combinés AC/DC, ainsi que la conception et la simulation des performances techniques de ces systèmes sont au cœur de notre travail. Nous utilisons des simulations transitoires électromagnétiques en temps réel avec des modèles intégrés précis des systèmes de contrôle des convertisseurs de puissance pour démontrer comment un système se comportera lorsqu’une nouvelle technologie sera intégrée au réseau (par exemple une nouvelle stratégie de protection).
Nos projets de recherche incluent :
Publications récentes
Upgraded Control Strategies to Safeguard Resiliency in Hybrid AC-DC Networks: A Focused Overview of the State of the Art
An overview of advanced control strategies that improve stability and resilience in hybrid AC/DC networks with HVDC and multiterminal DC systems.
Al‐Acceptor Incomplete Ionization Effects on Static and Reverse Recovery Characteristics of 4H‐SiC PiN Power Diodes
This study investigates Al Acceptor Ionization in 4H-SiC PiN power diodes using calibrated TCAD simulations. The results show how Al Acceptor Ionization influences forward conduction, reverse recovery performance and temperature-dependent electrical characteristics.
Performance-limiting electron and hole traps in 4H-SiC PiN power diodes determined by combined DLTFS and TCAD studies
This paper investigates SiC PiN Power Diodes using DLTFS and TCAD simulations to identify performance-limiting electron and hole traps. The results highlight the impact of defect levels on conduction current, carrier trapping and diode performance.
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Jean-Baptiste HEYBERGER, Directeur de département
