Caractérisation des interrupteurs de puissance

Une approche innovante, réduisant les risques de conception dans vos systèmes d’électronique de puissance

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Les convertisseurs de puissance sont le point clé des nouveaux réseaux électriques. Ils permettent une gestion optimale de l’énergie et peuvent participer aux stratégies de protection.

SuperGrid Institute offre une solution complète pour caractériser les interrupteurs de puissance (MOSFET, IGBT…) et générer des fiches techniques précises ainsi que des modèles de simulation. Ces essais peuvent être divisés en trois types :

  • Caractérisation statique et dynamique des semi-conducteurs de puissance ;
  • Génération de modèles de simulation ;
  • Tests de robustesse et de fiabilité.
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Description

Pour générer ces modèles, SuperGrid Institute est capable d’effectuer les caractérisations suivantes :

Caractérisation statique & dynamique

  • Caractérisation statique (i-v) : jusqu’à 5 kV-1,5 kA ;

  • Mesure de capacité : jusqu’à 3 kV ;

  • Mesure du courant de fuite : jusqu’à 30 kV ;

  • Banc d’essai double pulse : jusqu’à 20 kV-100 A ;

  • Caractérisation dynamique en commutation dure et douce : jusqu’à 10 kV-3 kA ;

  • Mesure d’impédance thermique ;

  • Génération de datasheet.

SuperGrid Institute offers a complete solution to characterize the power electronics devices and generate accurate datasheet or simulation models:

Tous les tests peuvent être effectués pour différentes températures.

Power converters are the key point for the new electrical grids. They allow an optimal energy management and can participate in the protection strategies.

Des tests spécifiques peuvent être réalisés en fonction des besoins du client.

Robustness & reliability tests

Pour déterminer les conditions de fonctionnement correctes des interrupteurs de puissance qui garantissent la durée de vie requise pour les systèmes d’électronique de puissance, plusieurs tests de vieillissement peuvent être conduits :

  • High Temperature Gate Bias (HTGB) ;

  • High Temperature Gate Switching (HTGS) ;

  • High Temperature Reverse Bias (HTRB) ;

  • Tests d’avalanche répétitifs ;

  • Tests de court-circuit répétitifs.

Valeur ajoutée

  • La caractérisation statique et dynamique est couplée à des outils de simulation multi-physiques permettant de générer des modèles de simulation. Ces modèles permettent d’optimiser la conception des systèmes d’électronique de puissance.

  • La caractérisation dynamique peut être réalisée en commutation spontanée et contrôlée. Par conséquent, les pertes de commutation peuvent être estimées dans les modes de commutation strict et progressif.

  • Des tests spécifiques peuvent être réalisés en fonction des besoins du client.
Thermal impedance measurement
Christophe Hamond, expert at SuperGrid Institute

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Christophe Hamond, Chef de groupe R&D
Caractérisation des convertisseurs de puissance DC-DC et des semi-conducteurs pour le MVDC

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