Recherche & collaboration
Qu’est-ce qui nous rend unique ?
SuperGrid Institute doit son succès aux personnes qui composent nos différents départements de recherche. Nos équipes viennent d’horizons divers, tant industriels qu’universitaires, et la richesse de leur expérience et de leurs compétences rend l’Institut unique.
Chaque personne apporte une expertise spécifique et ce vivier de connaissances offre aux spécialistes de différents domaines la possibilité de collaborer sur des solutions innovantes pour résoudre des problèmes techniques.
L’Institut bénéficie d’étroites relations de collaboration avec des acteurs de l’industrie et des institutions académiques. Alors que les forces complémentaires de nos partenaires apportent des éclairages et des approches innovantes aux défis techniques, nous développons nos départements de recherche en toute indépendance. Des investissements conjoints publics-privés et des projets de collaboration financent le travail.
Les installations de recherche, les plateformes de test et les laboratoires de pointe de SuperGrid Institute sur les sites de Villeurbanne et de Grenoble sont la clé du succès de nos départements de recherche.
Nos dernières publications scientifiques
Upgraded Control Strategies to Safeguard Resiliency in Hybrid AC-DC Networks: A Focused Overview of the State of the Art
An overview of advanced control strategies that improve stability and resilience in hybrid AC/DC networks with HVDC and multiterminal DC systems.
Al‐Acceptor Incomplete Ionization Effects on Static and Reverse Recovery Characteristics of 4H‐SiC PiN Power Diodes
This study investigates Al Acceptor Ionization in 4H-SiC PiN power diodes using calibrated TCAD simulations. The results show how Al Acceptor Ionization influences forward conduction, reverse recovery performance and temperature-dependent electrical characteristics.
Performance-limiting electron and hole traps in 4H-SiC PiN power diodes determined by combined DLTFS and TCAD studies
This paper investigates SiC PiN Power Diodes using DLTFS and TCAD simulations to identify performance-limiting electron and hole traps. The results highlight the impact of defect levels on conduction current, carrier trapping and diode performance.
